Завершені

  • 2016
  • 2015
  • 2014
  • 2013
  • 2012 і раніше

Проект по відпрацюванню технології складання фоточутливої капсули фотодіоду ФД-301 здатної витримувати 300 циклів охолодження від 20ºС до – 196 ºС.

Виготовлення експериментальної партії технологічних структур для фотодіодів далекого ІЧ діапазону на базі вихідних систем «хром на сапфірі» та «хром на кварцовому склі»

Розробка функціональної схеми спеціалізованої ВІС для приладу мікроелектронних координатно-чутливих детекторів

Розробка мікроелектронних координатно-чутливих детекторів нового покоління з розширеним до 5 см полем аналізу просторового розподілу іонних пучків довільного складу

Розробка твердотільних кремнієвих лінійних та матричних діодних детекторів.

Розробка кремнієвого p-i-n фотодетектора

Розробка координатно-чутливого детектора для дифрактометрії.

Проект по комплексному дослідженню фізичних явищ в модулях сонячних батарей з метою виявлення електрично активних електролюмінісцентних дефектів.

Проект по створенню перспективних методів досліджень мікроелектронних структур

Створення в Україні дільниці наноепітаксії для дослідження процесів росту багатокомпонентних наноструктур ІІІ-нітридів з високим ступенем когерентності електронних станів масивів квантових точок для роботи приладів при кімнатних температурах.

Виконання Проекту на виготовлення окислених пластин кремнію діаметром 100 мм (замовник – Туреччина).

НТР ”Випробування, оптимізація конструкції системи формування рентгенівського зображення та її впровадження у складі рентгенівської установки” (договір з Президією НАНУ № 110 від 01.04.2015р.)

Розробка системи постійного моніторингу температури з датчиками нікель на гнучкому поліімідному носії

Виготовлення та дослідження експериментальних зразків світлодіодного світильника для вуличного застосування

Розробка гнучких терморезисторів на гнучкому поліімідному носії алюміній-поліімід

Розробка гнучких поліімідних носіїв для складання кристалів операційних підсилювачів у безкорпусному виконанні та складання мікросхем.

Виготовлення великої інтегральної схеми (ВІС) на основі КМОН технології з проектними нормами 1.0 мкм для мікроелектронного координатно-чутливого детектора

ДКР «Створення дослідно-промислової дільниці для виробництва надпотужних RGB білих світлодіодів»

“Розробка, виготовлення та дослідження макету системи формування рентгенівського зображення для методу фазового контрасту” 2 етап

Складання мікросхем Б140УД17-2 модифікації 2 у кількості 2 тис шт.

    Роботи виконувались за договором № 030912 від 3 вересня 2012 р з ДП “Квазар-ІС”.

Відпрацювання технологічного процесу виготовлення шлейфів типу алюміній-полііміду з лакофольгового діелектрика ФДИ-АП з повним ступенем імідізації полімерного покриття.

    Роботи виконувались за контрактом № 4396 від 10.01.2013 р. з ООО ВМК “Оптоелектроніка” м. Новосибірськ

Виготовлення та дослідження експериментальних зразків мікроелектронних координатно-чутливих детекторів заряджених часток для спектроскопії.

«Розробка координатно-чутливого твердотільного детектора для формування зображення внутрішньої структури об’єктів в рентгенівській системі з фазовим контрастом». 1 етап ( 2013 рік)

Супровід технології виготовлення гнучких носіїв на підприємстві ВАТ «Ангстрем», РФ.

ДКР «Розробка енергозберігаючих світлодіодних світильників для салонного освітлення вагонів метро»

НТР «Створення і впровадження в серійне виробництво енергоефективних твердотільних джерел освітлення» (Договір №ДЗ/502-2011 від 29 вересня 2011р. ДУ №1 від 23.08.2012р.)

НДР «Розробка наукових основ технології темплетних наноструктур інтегральних оптоелектронних елементів на ІІІ-нітридах» (Договір № Ф41/70-2012 від 12.06.2012р.)

ДКР «Створення дослідно-промислової дільниці для виробництва надпотужних RGB білих світлодіодів»

ДЦНТП «Розробка і впровадження енергозберігаючих світлодіодних джерел світла та освітлювальних систем на їх основі» Постанова КМУ №632 від 09.07.2008р.