Статті і тези

НДВ фіз.-техн. та аналіт. досліджень
Відділ ЯФІРП
Відділ інтегральних схем
  1. Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
  2. Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
  3. СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
  4. Мікроелектронний координатно-чутливий детектор масспектрометра
  5. СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
  6. Гетероперехідні SiGe біполярні транзистори для кремнієвої НВЧ електроніки
  7. Современные кремниевые технологии создания СВЧ интегральных микросхем диапазона 1 – 100 ГГц
  8. Развитие микроэлектроники в Украине – путь к конкурентноспособности промышленности и экономики
  9. Spectral Characterization of a Blue-Enhanced Silicon Photodetector
  10. Проблемы и задачи развития технологий микроэлектроники в Украине
  11. Plasma technologies for manufacturing of micro-strip metal detectors of ionizing radiation
  12. Разработка блоков детектирования и программного обеспечения для дозиметрических и радиометрических приборов
  13. Детектори УФ-А та УФ-В діапазонів на основі кремнієвих діодів з решітчатою структурою p-n переходу
  14. Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
  15. P-i-n- фотодіоди на основі високоомного кремнію та γ-, рентгенівських детекторів сцинтилятор-фотодіод
  16. Розробка багатоканальних координато-чутливих γ-, рентгенівських детекторних систем на основі кремнієвої інтегральної технології
  17. Дослідження параметрів багатоелементних p-i-n фотодіодних структур на основі кремнію
  18. Радіаційні характеристики напівпровідникових детекторів α-, β-, γ- випромінювання на основі p-i-n структур і застосування в дозиметричних і радіометричних приладах
  19. Micro-strip Metal Foil Detectors for the beam profile monitoring
  20. Micro-strip metal foil detectors for the beam profile monitoring
  21. Интегральная схема датчика положения на основе фотоприемной линейки со считыванием на ПЗС со скрытым каналом
  22. Neutron dosimetry with planar silicon p-i-n diodes
  23. Планарні сенсори для дозиметрії в змішаних γ- та нейтронних полях
  24. Characteristics & radiation tolerance of a double-sided microstrip detector with polysilicon beasing resistors
  25. Розробка та характеристики кремнієвих координато-чутливих детекторів для фізики високих енергій та ядерної фізики
  26. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
  27. Silicon strip detectors for on-line X-ray microbeam characterisation and dosimetry
  28. Strip Detector for high spatial resolution dosimetry in microbeam radiation therapy
  29. Research on Improvement of Receiving-Detecting Circuit for Digital Radiographic Systems with Advanced Spatial Resolution
  30. Исследование характеристик детекторов на основе сцинтиллятор-фотоприемное устройство для цифровой радиографии
  31. The looking for new possibilities of improvement of receiving-detecting circuit for digital radiographic systems with advanced spatial resolution
  32. Мікростріпові металеві детектори
  33. Характеристики і технологія виготовлення кремнієвих планарних p-i-n фотодіодів для сцинтиелектронних детекторів
  34. На пути создания умного освещения интеграцией Si/III-нітридных светодиодных структур
  35. Механизмы роста III-нитридов в самоорганизованных нанореакторах оксида алюминия
  36. Superluminescent laser-integrated nanocarbonized matrix pumping the neodymium lasers YAG:Nd
  37. Nonpolar GaN grown on Si by hydride vapor phase epitaxy using anodized Al nanomask
  38. The Dependence Of Si/A3B5 Light Source Photoluminescence Efficiency On Dynamic Displacements Of Atoms In The Crystal Lattice
  39. Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures
  40. Si/A3B5 one chip integration of white LED sources
  41. Carbides of A3B5 for opto- and microelectronics compounds – new class materials
  42. Спектры фотолюминесценции GaN/InGaN множественных квантовых ям на GaN наностержнях
  43. Нанотемплеты Si/SiO2/III-нитриды
  44. Information conception of image perception at solid-state lighting
  45. Simulation of Influence of Template Size on Misfit Dislocation in Nanostructures
  46. Влияние тепловых процессов в Si/A3B5 RGB матрицах светодиодов
  47. Температурные и концентрационные свойства Si/A3B5 RGB источников света
  48. Нанокарбидные процессы при МОС-эпитаксии ІІІ-нитридных структур
  49. Темплетні шари для наногетероструктур Si/А3В5
Показати більше