Статті і тези

НДВ фіз.-техн. та аналіт. досліджень
Відділ ЯФІРП
Відділ інтегральних схем
  1. P. Deminskyi, A. Haider, E. Kovalska, N. Biyikli Graphene as Plasma-compatible Blocking Layer Material for Area-Selective Atomic Layer Deposition: A Feasibility Study for III-Nitrides. J. Vac. Sci. Technol. A 36, 01A107 (2018)
  2. Haider A., Yilmaz M., Deminskyi P., Eren H., Biyikli N. Nanoscale selective area atomic layer deposition of TiO2 using e-beam patterned polymers RSC Adv., 2017, 6, 106109–106119
  3. Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
  4. Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
  5. СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
  6. Мікроелектронний координатно-чутливий детектор масспектрометра
  7. СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
  8. Гетероперехідні SiGe біполярні транзистори для кремнієвої НВЧ електроніки
  9. A. Haider, P. Deminskyi, T. M. Khan, H. Eren, N. Biyikli Area-Selective Atomic Layer Deposition Using an Inductively Coupled Plasma Polymerized Fluorocarbon Layer: A Case Study for Metal Oxides J. Phys. Chem. C, 2016, 120 (46), pp 26393–26401
  10. M.S. Onachenko Superluminescent laser-integrated nanocarbonized matrix pumping the neodymium lasers YAG:Nd Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2015. V. 18, N 3. P. 367-371.
  11. V. Osinsky, P. Deminskyi, N. Lyahova, N. Syhoviy, H. Honarmand The Dependence Of Si/A3B5 Light Source Photoluminescence Efficiency On Dynamic Displacements Of Atoms In The Crystal Lattice 2014 IEEE XXXIV International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology (ELNANO)
  12. Современные кремниевые технологии создания СВЧ интегральных микросхем диапазона 1 – 100 ГГц
  13. Развитие микроэлектроники в Украине – путь к конкурентноспособности промышленности и экономики
  14. Spectral Characterization of a Blue-Enhanced Silicon Photodetector
  15. Проблемы и задачи развития технологий микроэлектроники в Украине
  16. Plasma technologies for manufacturing of micro-strip metal detectors of ionizing radiation
  17. Разработка блоков детектирования и программного обеспечения для дозиметрических и радиометрических приборов
  18. Детектори УФ-А та УФ-В діапазонів на основі кремнієвих діодів з решітчатою структурою p-n переходу
  19. Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
  20. P-i-n- фотодіоди на основі високоомного кремнію та γ-, рентгенівських детекторів сцинтилятор-фотодіод
  21. Розробка багатоканальних координато-чутливих γ-, рентгенівських детекторних систем на основі кремнієвої інтегральної технології
  22. Дослідження параметрів багатоелементних p-i-n фотодіодних структур на основі кремнію
  23. Радіаційні характеристики напівпровідникових детекторів α-, β-, γ- випромінювання на основі p-i-n структур і застосування в дозиметричних і радіометричних приладах
  24. Micro-strip Metal Foil Detectors for the beam profile monitoring
  25. Micro-strip metal foil detectors for the beam profile monitoring
  26. Интегральная схема датчика положения на основе фотоприемной линейки со считыванием на ПЗС со скрытым каналом
  27. Neutron dosimetry with planar silicon p-i-n diodes
  28. Планарні сенсори для дозиметрії в змішаних γ- та нейтронних полях
  29. Characteristics & radiation tolerance of a double-sided microstrip detector with polysilicon beasing resistors
  30. Розробка та характеристики кремнієвих координато-чутливих детекторів для фізики високих енергій та ядерної фізики
  31. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
  32. Silicon strip detectors for on-line X-ray microbeam characterisation and dosimetry
  33. Strip Detector for high spatial resolution dosimetry in microbeam radiation therapy
  34. Research on Improvement of Receiving-Detecting Circuit for Digital Radiographic Systems with Advanced Spatial Resolution
  35. Исследование характеристик детекторов на основе сцинтиллятор-фотоприемное устройство для цифровой радиографии
  36. The looking for new possibilities of improvement of receiving-detecting circuit for digital radiographic systems with advanced spatial resolution
  37. Мікростріпові металеві детектори
  38. Характеристики і технологія виготовлення кремнієвих планарних p-i-n фотодіодів для сцинтиелектронних детекторів
  39. V. Osinsky, N. Lyahova, N. Sukhoviy, V. Timofeyev, E. Faleyeva, E. Semenovskaya, A. Andryushchenko Simulation of Influence of Template Size on Misfit Dislocation in Nanostructures. 2014 IEEE 34th International Scientific Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO)
  40. В.И. Осинский, Н.Н. Ляхова, В.И. Глотов, Н.О. Суховий, О.С. Литвин, П.В. Деминский Спектры фотолюминесценции GaN/InGaN множественных квантовых ям на GaN наностержнях Ученые записки физического факультета 2, 142304 (2014)
  41. Ляхова Н.Н., Осинский В.И., Глотов В.И., Суховий Н.О., Литвин О.С., Деминский П.В. Нанотемплеты Si/SiO2/III-нитриды Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2014. № 2. 142304
  42. В.И. Осинский, П.В Деминский, Н.Н. Ляхова, А.П. Моторный, И.В. Масол, Н.О. Суховий Температурные и концентрационные свойства Si/A3B5 RGB источников света. Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології, 2 (24), 2012 Сс. 50-57
  43. П. Деминский, В. Осинский Влияние тепловых процессов в Si/A3B5 RGB матрицах светодиодов. Реєстрація, зберігання і обробка даних, 2, 2012, Сс. 3-13
  44. В.И. Осинский, И.В. Масол, Н.Н. Ляхова, П.В. Деминский Carbides of A3B5 for opto- and microelectronics compounds – new class materials Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012. V. 15, N 1. P. 55-60.
  45. В.И. Осинский, Н.Н. Ляхова, И.В. Масол, В.П. Грунянская, П.В Деминский, Н.О. Суховий, В.В. Стонис, М.С. Оначенко Нанокарбидные процессы при МОС-эпитаксии ІІІ-нитридных структур Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології, 2 (24), 2012 Сс. 62-72
  46. В.И. Осинский, И.В. Масол, В.И. Глотов, Г.Г. Горох, П.В. Деминский, Н.О. Ляхова Механизмы роста III-нитридов в самоорганизованных нанореакторах оксида алюминия Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы. Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции (2011) Санкт-Петербург, Россия
  47. В. Осинский, И. Масол, Н. Ляхова, П. Деминский На пути создания умного освещения интеграцией Si/III-нитридных светодиодных структур Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы. Тезисы докладов 8-й Всероссийской конференции (2011) Санкт-Петербург, Россия
  48. V. Osinsky, O. Dyachenko Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010. V. 13, N 2. P. 142-144
  49. V. Osinsky, D. Murchenko, H. Honarmand Si/A3B5 one chip integration of white LED sources Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009. V. 12, N 3. P. 240-250.
  50. A. Polyakov, A. Markov, M. Mezhennyi, A. Govorkov, V. Pavlov, N. Smirnov, A. Donskov, L. D’yakonov, Y. Kozlova, S. Malakhov, T. Yugova, V. Osinsky, G. Gorokh, N. Lyahova, V. Mityukhlyaev, and S. Pearton Nonpolar GaN grown on Si by hydride vapor phase epitaxy using anodized Al nanomask J. Applied Physics Letters 94, 022114 (2009)
  51. В. Осінський, В. Лабунов, Г.Г. Горох, Н.М. Ляхова, Н.О. Ляхова, Д.В. Соловей Темплетні шари для наногетероструктур Si/А3В5 Электроника и связь. Тематический выпуск «Проблемы электроники», ч.1, 2008
  52. В. І. Осінський Information conception of image perception at solid-state lighting Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2007. V. 10, N 3. P. 30-43.
Показати більше