Контроль мікродефектів та мікродомішок в напівпровідниках

Автоматизована установка контролю мікродефектів та мікродомішок в напівпровідниках методім спектроскопії глибоких рівнів (DLTS): модель BRDL-4605, фірма “Bio Rad” (США)

• Визначення електрично активних дефектів (структурні,
   радіаційні дефекти і мікро домішки) в кремнії та ін.
   напівпровідниках, що характеризуються присутністю
   глибоких рівнів (ГР) в забороненій зоні матеріалу.
• Ідентифікація ГР, аналіз їх концентрацій NDL,
   енергетичного положення в забороненій зоні і профілів
   концентрації поблизу поверхні.
• Визначення перетинів захвату електронів і дірок
   глибокими рівнями.

Тестові структури:
• діоди Шотткі,
• р-n переходи,
• МДН керовані переходи (діоди).

Мінімальна ємність напівпровідникової структури для аналізу ГР: 5–10 пФ.
Чутливість визначення NDL:
1×10-5 Nd, де Nd – концентрація базової легуючої домішки в напівпровіднику.
Чутливість визначення NDL в кремнії з рівнем легування 0.1×1015-3 становить 1010 ат/см3
Точність енергії активації ГР: 0,01 еВ.

Модернізація потрібна
• Принтер;
• Дюари;
• Налаштування мережі.

Сума, потрібна на модернізацію: 1.000 USD