Система нанесення епітаксійних плівок ІІІ-нітридів та синтез 2D матеріалів (графен, сіліцен)

Єдина в Україні працездатна система нанесення епітаксійних плівок ІІІ-нітридів та суміщення з ростом 2D матеріалів (графен, сіліцен).

• Діаметр пластин: 2 дюйми
• Чистота матеріалу: 99,999 %.
• Температура: 400–1200°С.
• Гази носії: N2, H2.
• Проведення процесів в середовищі: N2, H2, NH3, SiH4.
• Прекурсори: Triethylboron, Trimethylaluminium,
   Tritertiarybutylaluminium, Trimethylgallium, Triethylgallium,
   Trimethylindium, Dimethylaminopropyl-dimethyl-indium та ін.
• Кількість пластин протягом одного тех. процесу:
   2 пластини.

Установка включає в себе приточно-витяжну вентиляцію.

Модернізація потрібна
• Вакуумної системи;
• Системи подачі газів;
• Реактору (для збільшення розмірів пластин до 4–6 дюймів);
• Програмного забезпечення.
Для систематичного проведення процесів росту потрібна закупівля прекурсорів та газів носіїв.

Сумма, потрібна на модернізацію, реагенти та систематичне проведення процесів протягом 2-х років: 50.000–100.000 USD.