НДВ фізико-технологічних та аналітичних досліджень

Володимир
Михайлович
Попов

К.ф.м.н.,
Керівник відділу

Володимир
Іванович
Осінський

Д.т.н., проф., головний наук. співробітник

Володимир Іванович
Глотов

Старший науковий співробітник

Наталія
Миколаївна
Ляхова

Старший науковий співробітник
MOCVD, III-нітриди

Володимир Іванович
Рижков

Старший науковий співробітник

Марат
Сергійович Оначенко

Науковий співробітник
III-нітриди

PhD
Ніна
СУХОВІЙ

Дослідник
ІІІ-нітриди,
фізика поверхні

Опис відділу

Основними напрямами робіт відділу є:

1. Розроблення, дослідження та впровадження технологічних процесів створення приладів мікро-(опто)електроніки. Створення експериментальних зразків приладів та тестових структур. Збирання напівпровідникових приладів в корпуси.
2. Комплексне дослідження електрофізичних параметрів напівпровідникових структур (у т. ч. МДН систем), локалізація та дослідження електрично активних дефектів (ЕАД).
3. Аналіз радіаційної стійкості технологічних структур та приладів.
4. Розроблення комплексу аналітичних інтегральних та локальних методів дослідження та визначення електрофізичних параметрів МДН структур, а також методів виявлення і аналізу локальних властивостей ЕАД в технологічних структурах різних типів.
5. Атестація технологічних процесів.
6. Виконання технологічних робіт з нанесення широкого спектру матеріалів включаючи:
    – Метали (Al, Ga, Cu, Ti, Ni, Mo, In, Zn, Ag, Hg, Au, Bi, Pb, Fe);
    – Напівпровідники (AlN, GaN, InN, SiN, SiC, TiN, MgN, BN, SiTe, MoSi2, poly-Si);
    – Діелектрики (SiO2, Al2O3, TiO2, Si3N4).

Наведені матеріалів та їх сполуки, можуть бути напилені на різні типи поверхнонь (в тому числі гнучкі).
Наявне технологічне устаткування IMD дозволяє проводити роботи за різними напрямами:
    – біомедицина, імплантологія;
    – мікро- та нано(опто)електроніка;

ДОСЛІДНА ГРУПА Проф. ОСІНСЬКОГО

Якісно нові розробки, запатентовані в Україні:
• технологія інтеграції чіпів світлодіодів і гетеролазерів на основі гетероструктур АЗВ5 з К-МОП кремнієвими інтегральними схемами;
• технологія епітаксії багатошарових світлодіодних наноструктур;
• технологія формування на гетероструктурі ефективного виведення випромінювання;
• конструкція оптичної системи виведення випромінювання з чіпа і формування діаграми спрямованості;
• технологія формування тепловідведення матриці світлодіодів;
• спосіб управління світлодіодною матрицею при мінімізації числа елементів комутації;
• структура і технологія омічних контактів світлодіода;
• лазерно-комп’ютерна технологія з удосконалення параметрів чіпа світлодіода;
• матеріал активних шарів з квантовими точками;
• технологія створення стабільних фаз багатокомпонентних твердих розчинів для формування випромінюючих областей світлодіодів і гетеролазерів.